Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 7,страницы 1163–1170(Mi phts2933)
Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах
ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, В. Рыжиков, А. Казлаускас, В. Кубертавичюс
Аннотация:
Методами лазерной спектроскопии нелинейного поглощения
исследованы изовалентно легированные монокристаллы ZnSe : Те.
Получены параметры оптической активности, энергии залегания
и концентрация глубоких локальных центров, проявляющихся в процессе
лазерной модуляции двухступенчатого поглощения света (ЛМ ДСП).
Сопоставляются результаты спектроскопии ГЦ методами ЛМ ДСП,
фотолюминесценции и стационарного примесного поглощения, полученные
на кристаллах с различной технологической обработкой. Показано, что
изовалентное легирование может способствовать комплексообразованию
с участием собственных дефектов и изовалентных примесей. Предложена
новая интерпретация природы центров «красной» (Сu${-}R$)
излучательной рекомбинации как связанной с формированием в ZnSe
ассоциатов ${\{V^{-}_{\text{Zn}}+D^{+}+\text{Te}^{0}_{\text{Se}}\}^{0}}$,
которому способствуют эффекты самокомпенсации одновременно
как заряда, так и локальной деформации решетки.