RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1163–1170 (Mi phts2933)

Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения

Р. Балтрамеюнас, В. Гаврюшин, Г. Рачюкайтис, В. Рыжиков, А. Казлаускас, В. Кубертавичюс


Аннотация: Методами лазерной спектроскопии нелинейного поглощения исследованы изовалентно легированные монокристаллы ZnSe : Те. Получены параметры оптической активности, энергии залегания и концентрация глубоких локальных центров, проявляющихся в процессе лазерной модуляции двухступенчатого поглощения света (ЛМ ДСП). Сопоставляются результаты спектроскопии ГЦ методами ЛМ ДСП, фотолюминесценции и стационарного примесного поглощения, полученные на кристаллах с различной технологической обработкой. Показано, что изовалентное легирование может способствовать комплексообразованию с участием собственных дефектов и изовалентных примесей. Предложена новая интерпретация природы центров «красной» (Сu${-}R$) излучательной рекомбинации как связанной с формированием в ZnSe ассоциатов ${\{V^{-}_{\text{Zn}}+D^{+}+\text{Te}^{0}_{\text{Se}}\}^{0}}$, которому способствуют эффекты самокомпенсации одновременно как заряда, так и локальной деформации решетки.



© МИАН, 2026