Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном $p$-InSb

А. В. Германенко, Г. М. Миньков, Е. Л. Румянцев, О. Э. Рут


Аннотация: Исследованы магнитополевые (${H\leqslant60}$ кЭ) и температурные (${T=1.7\div77}$ K) зависимости коэффициента Холла ($R$) в одноосно деформированном $p$-InSb с концентрацией акцепторов ${N_{A}\simeq10^{14}\div2\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ при давлениях ${\chi\leqslant 4.5}$ кбар. Показано, что в одноосно деформированном $p$-InSb магнитное поле, сжимая волновые функции, приводит к росту энергии ионизации акцептора. При этом в материалах с ${N_{A}>10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ при больших сжатиях, когда образец находится на металлической стороне перехода полупроводник–металл, магнитное поле приводит к обратному переходу в полупроводниковое состояние, когда ${N_{A}a^{3}\approx0.025\div0.032}$. Наблюдаемые изменения $\varepsilon_{A}(H,\chi)$ свидетельствуют о том, что основное состояние акцептора в одноосно деформированном InSb является мелким.