RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1149–1151 (Mi phts2930)

Краткие сообщения

Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в $n$-Si

Ю. М. Добровинский, М. Г. Соснин, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич




© МИАН, 2026