RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1124–1126 (Mi phts2920)

Краткие сообщения

Накопление E3-центров в $n$-GaAs при $\gamma$-облучении в интервале температур ${77\div580}$ K

В. Н. Брудный, В. В. Пешев, А. М. Притулов




© МИАН, 2026