RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1108–1110 (Mi phts2913)

Краткие сообщения

Влияние давления паров мышьяка на свойства нелегированного полуизолирующего GaAs при термообработке

И. И. Показной, Ф. С. Шишияну, И. М. Тигиняну, В. П. Никифоров, В. П. Шонтя




© МИАН, 2026