Аннотация:
Исследованы свойства арсенида галлия, легированного облучением
реакторными нейтронами при высоких температурах. Показано, что состояние и свойства кристаллов арсенида галлия,
облученных нейтронами при высокой температуре, не эквивалентны
состоянию отожженных кристаллов после облучения при низкой
температуре (${\lesssim70^{\circ}}$С). Для различных температур
облучения характерны различные спектры простых и сложных
дефектов с различной термической стабильностью. Наличие в кристаллах, облученных при ${T>600^{\circ}}$С, остаточных
точечных радиационных дефектов (РД), отжигающихся практически полностью
при $200{-}300^{\circ}$С, объясняется
«самооблучением» (излучением самого материала),
вызванным распадом нестабильных радиоактивных изотопов в процессе
длительного хранения образцов. С ростом концентрации
РД (при увеличении флюенса нейтронов) увеличивается вероятность
образования сложных комплексов дефектов в процессе последующей
термообработки при низких температурах.
Последние отжигаются при более высоких температурах ($400{-}600^{\circ}$С).