RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1025–1030 (Mi phts2895)

Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах

Н. Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский


Аннотация: Исследованы свойства арсенида галлия, легированного облучением реакторными нейтронами при высоких температурах.
Показано, что состояние и свойства кристаллов арсенида галлия, облученных нейтронами при высокой температуре, не эквивалентны состоянию отожженных кристаллов после облучения при низкой температуре (${\lesssim70^{\circ}}$С). Для различных температур облучения характерны различные спектры простых и сложных дефектов с различной термической стабильностью.
Наличие в кристаллах, облученных при ${T>600^{\circ}}$С, остаточных точечных радиационных дефектов (РД), отжигающихся практически полностью при $200{-}300^{\circ}$С, объясняется «самооблучением» (излучением самого материала), вызванным распадом нестабильных радиоактивных изотопов в процессе длительного хранения образцов. С ростом концентрации РД (при увеличении флюенса нейтронов) увеличивается вероятность образования сложных комплексов дефектов в процессе последующей термообработки при низких температурах. Последние отжигаются при более высоких температурах ($400{-}600^{\circ}$С).



© МИАН, 2026