Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)

И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. СюШаймеев


Аннотация: Проведен теоретический анализ температурной зависимости концентрации заряженных центров с глубокими уровнями в запрещенной зоне для случая неоднородного распределения центров по объему кристалла. Показано, что если центры собраны в скопления, то с изменением температуры $T$ меняется средняя концентрация заряженных глубоких уровней $N^{-}_{\text{ГУ}}(T)$. Измерение зависимости $N^{-}_{\text{ГУ}}(T)$ дает возможность рассчитывать параметры, характеризующие скопления примесей (дефектов). Разработанная методика применена для тестирования и исследования неоднородностей, содержащихся в кремнии, облученном нейтронами (разупорядоченные области с дивакансионным ядром), легированном золотом в процессе выращивания (скопления дефектных центров с участием атомов золота).