RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 5, страницы 906–910 (Mi phts2870)

Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника

Л. В. Беляков, Н. Н. Горобей, Д. Н. Горячев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Исследовано влияние поля поверхностного поляритона на фотоответ структуры металл–полупроводник. Рассмотрена задача о возбуждении поверхностного поляритона в трехслойной системе диэлектрик–металлический слой–полупроводник в приближении толстого слоя металла при наличии рельефной дифракционной решетки на границах раздела. Получено выражение для напряженности электрического поля и вектора Пойнтинга поверхностного поляритона в полупроводнике в зависимости от параметров металлического слоя и полупроводника. Проведено сравнение теоретических зависимостей с экспериментальными.



© МИАН, 2026