Аннотация:
Впервые исследовано влияние примесей Н и N на люминесценцию и
структуру РbТе. Пленки РbТе выращивались методом
термического испарения в атмосфере Н$_{2}$ или N$_{2}$ при
давлениях ${10^{-5}\div10^{-1}}$ мм рт. ст. Обнаружено увеличение
квантового выхода излучения РbТе при легировании Н$_{2}$ в области
давлений около 10$^{-2}$ мм рт. ст., что связано с улучшением структурного
совершенства монокристаллических эпитаксиальных пленок. Температурная
зависимость интенсивности излучения поликристаллических пленок РbТе : Н,
выращенных на стеклянной подложке, имеет максимум в области
${T=120\div140}$ K. Для пленок РbТе : N обнаружены смещение
спектральной полосы люминесценции и края поглощения в сторону высоких
энергий на ${25\div30}$ мэВ и появление коротковолновых максимумов
в спектрах. Эти максимумы могут быть обусловлены рекомбинацией
с участием квазилокальных уровней в зоне проводимости.