RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 5, страницы 815–820 (Mi phts2853)

Влияние примесей водорода и азота на люминесценцию эпитаксиальных пленок теллурида свинца

М. М. Качабеков, А. Э. Юнович


Аннотация: Впервые исследовано влияние примесей Н и N на люминесценцию и структуру РbТе. Пленки РbТе выращивались методом термического испарения в атмосфере Н$_{2}$ или N$_{2}$ при давлениях ${10^{-5}\div10^{-1}}$ мм рт. ст. Обнаружено увеличение квантового выхода излучения РbТе при легировании Н$_{2}$ в области давлений около 10$^{-2}$ мм рт. ст., что связано с улучшением структурного совершенства монокристаллических эпитаксиальных пленок. Температурная зависимость интенсивности излучения поликристаллических пленок РbТе : Н, выращенных на стеклянной подложке, имеет максимум в области ${T=120\div140}$ K. Для пленок РbТе : N обнаружены смещение спектральной полосы люминесценции и края поглощения в сторону высоких энергий на ${25\div30}$ мэВ и появление коротковолновых максимумов в спектрах. Эти максимумы могут быть обусловлены рекомбинацией с участием квазилокальных уровней в зоне проводимости.



© МИАН, 2026