Аннотация:
Показано, что при межзонном пробое в тонких образцах
узкозонных полупроводников вольтамперная характеристика может приобретать
$S$-образную форму. Диффузионная длина $l_{r}$, длина остывания
$l_{\varepsilon}$ и толщина образца $2a$ должны удовлетворять соотношению
${l_{r}\ll 2a\ll l_{\varepsilon}}$, а рассеяние носителей на поверхности
образца должно быть частично неупругим.
Оценки проведены для узкозонных сплавов Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 04.05.1985 Принята в печать: 02.01.1986