RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1209–1213 (Mi phts285)

$S$-образная вольтамперная характеристика при межзонном пробое в узкозонном полупроводнике в условиях размерного эффекта

А. В. Дмитриев

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

Аннотация: Показано, что при межзонном пробое в тонких образцах узкозонных полупроводников вольтамперная характеристика может приобретать $S$-образную форму. Диффузионная длина $l_{r}$, длина остывания $l_{\varepsilon}$ и толщина образца $2a$ должны удовлетворять соотношению ${l_{r}\ll 2a\ll l_{\varepsilon}}$, а рассеяние носителей на поверхности образца должно быть частично неупругим. Оценки проведены для узкозонных сплавов Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 04.05.1985
Принята в печать: 02.01.1986



© МИАН, 2026