Аннотация:
Исследованы изменения люминесцентных и фотоэлектрических
свойств сульфида кадмия в краевой области, обусловленные
электромиграцией дефектов при комнатной температуре и полях
${5\cdot10^{2}\div2\cdot10^{3}}$ В/см. Полученные результаты
свидетельствуют о перестройке центров рекомбинации и фоточувствительности
типа донорно-акцепторных пар (ДАП). Для компонент ДАП определены
коэффициенты диффузии и эффективные заряды. Показано, что электродиффузия
дефектов и перестройка ДАП существенно влияют на фоточувствительность CdS.