RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 5, страницы 780–783 (Mi phts2846)

Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра

А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц, А. Д. Левит


Аннотация: Исследованы изменения люминесцентных и фотоэлектрических свойств сульфида кадмия в краевой области, обусловленные электромиграцией дефектов при комнатной температуре и полях ${5\cdot10^{2}\div2\cdot10^{3}}$ В/см. Полученные результаты свидетельствуют о перестройке центров рекомбинации и фоточувствительности типа донорно-акцепторных пар (ДАП). Для компонент ДАП определены коэффициенты диффузии и эффективные заряды. Показано, что электродиффузия дефектов и перестройка ДАП существенно влияют на фоточувствительность CdS.



© МИАН, 2026