Поглощение света в полупроводниковых соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ $p$-типа

Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов


Аннотация: Методами теории многих частиц рассчитаны спектры оптического поглощения в полупроводниковых соединениях GaSb, InAs, в которых величина спин-орбитального отщепления близка к ширине запрещенной зоны. Рассмотрены переходы между подзонами валентной зоны и фундаментальное поглощение. Проведено сравнение с экспериментальными данными по поглощению в GaSb $p$-типа при 80 и 300 K. Получено удовлетворительное согласие теоретических и экспериментальных результатов вблизи фундаментального края поглощения.