RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 692–696 (Mi phts2819)

Влияние интенсивности облучения быстрыми нейтронами на процессы дефектообразования в кремнии

А. И. Ашин, И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. С. Шаймеев


Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования скоростей введения основных радиационных дефектов в кремнии $n$-типа ($A$-, $E$-центров, дивакансий) от интенсивности облучения быстрыми нейтронами реактора. Показано, что скорости введения наблюдаемых дефектов уменьшаются в некотором интервале изменения интенсивности. Вне этого интервала (при «малых» и «больших» интенсивностях) скорости введения дефектов постоянны. Результаты объяснены аннигиляцией вакансий и междоузельных атомов при взаимодействии друг с другом не полностью сформировавшихся разупорядоченных областей. Развита количественная модель, сопоставление которой с экспериментом позволило оценить ряд параметров дефектообразования.



© МИАН, 2026