RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 654–656 (Mi phts2812)

ЭПР связанных дырок в GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$

В. Ф. Мастеров, К. Ф. Штельмах, М. Н. Барбашов


Аннотация: Приведены результаты исследования ЭПР кристаллов GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ и GaAs$\langle\text{Mn,\,Zn}\rangle$. Показано, что спектры ЭПР с ${g=2.82}$ и 5.635 соответствуют разрешенным и запрещенным переходам центра Mn ${(3d^{5})+h}$, основным состоянием которого является триплет ${F=1}$.



© МИАН, 2026