RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 623–627 (Mi phts2807)

Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого раствора $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb

В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, В. А. Позолотин


Аннотация: Анализируется влияние состава твердого раствора $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb на чувствительность его удельного сопротивления $\rho$ к гидростатическому давлению. Экспериментальные измерения в диапазоне давлений ${(0\div8)\cdot 10^{8}}$ Па проводились с использованием эпитаксиальных структур, содержащих тензорезистивный слой $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb(As) (${0\leqslant x\leqslant 0.40}$). Композиционные зависимости величины относительного изменения удельного сопротивления с давлением ${\alpha=\rho^{-1}(d\rho/dP)}$, рассчитанные с учетом многодолинности зоны проводимости Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb, характеризуются двумя максимумами вблизи ${x=0}$ и 0.4 и качественно объясняют экспериментальные результаты. Однако путем вариации (в соответствии с литературными данными) энергетических зазоров $E^{\Gamma}_{g}$, $E^{L}_{g}$, $E^{X}_{g}$ и отношения подвижностей электронов в различных минимумах зоны проводимости не удается достичь полного количественного согласия эксперимента и расчета. Высказано предположение, что на величину $\alpha$ влияют также конструкционные особенности исследованных образцов.



© МИАН, 2026