Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 4,страницы 623–627(Mi phts2807)
Влияние гидростатического давления на удельное сопротивление твердого
раствора $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb
В. П. Гермогенов, В. М. Диамант, З. В. Коротченко, Н. П. Криворотов, В. А. Позолотин
Аннотация:
Анализируется влияние состава твердого раствора
$n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb на чувствительность его удельного сопротивления
$\rho$ к гидростатическому давлению. Экспериментальные измерения
в диапазоне давлений ${(0\div8)\cdot 10^{8}}$ Па проводились
с использованием эпитаксиальных структур, содержащих тензорезистивный
слой $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb(As) (${0\leqslant x\leqslant 0.40}$).
Композиционные зависимости величины относительного изменения удельного
сопротивления с давлением ${\alpha=\rho^{-1}(d\rho/dP)}$,
рассчитанные с учетом многодолинности зоны проводимости
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb, характеризуются двумя максимумами вблизи
${x=0}$ и 0.4 и качественно объясняют экспериментальные результаты.
Однако путем вариации (в соответствии с литературными данными)
энергетических зазоров $E^{\Gamma}_{g}$, $E^{L}_{g}$,
$E^{X}_{g}$ и отношения подвижностей электронов в различных
минимумах зоны проводимости не удается достичь полного количественного
согласия эксперимента и расчета. Высказано предположение, что на величину
$\alpha$
влияют также конструкционные особенности исследованных образцов.