Селективная фоточувствительность длинных $p^{+}{-}n$-диодов с варизонной базой на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Г. П. Пека, А. А. Каваляускас, Д. А. Пулеметов, А. Н. Смоляр, Е. А. Шимулите


Аннотация: Рассчитаны спектральные характеристики (СХ) дифференциальной вольтовой фоточувствительности $S_{V}$ инжекционных $p^{+}{-}n$-фотодиодов с длинной варизонной базой в режиме высокого уровня инжекции при низкой интенсивности освещения. Проанализирована зависимость формы спектра $S_{V}$ от параметров базы диода и функции оптической генерации. Показано, что в таком режиме инжекционные $p^{+}{-}n$-фотодиоды с варизонной базой имеют селективный спектр $S_{V}$, описывающийся двумя экспонентами. Ширина и форма СХ $S_{V}$ определяются крутизной края поглощения, диффузионной длиной дырок в базе и градиентом $E_{g}$. Теоретические результаты подтверждены экспериментально на структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As${-}$GaAs.