Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока

В. А. Калитенко, И. Я. Кучеров, В. М. Перга


Аннотация: Исследована акустическая эмиссия (АЭ) в монокристаллах Si и CdS при протекании электрического тока. Обнаружено, что при приложении к образцам Si и CdS электрического поля и протекании тока определенной величины возникают сигналы АЭ, носящие импульсный характер. АЭ в Si возникает при напряженностях электрического поля ${\sim50\div80}$ В/см, CdS — ${\sim600\div700}$ В/см. Образцы Si при этом существенно нагреваются. После отключения источника тока АЭ в образцах CdS прекращается мгновенно, а у большинства образцов Si наблюдается остаточная АЭ, которая медленно уменьшается со временем. В этих же образцах Si АЭ наблюдается и при их нагревании от постороннего источника тепла. Предполагается, что АЭ в монокристаллах Si и CdS при протекании электрического тока обусловлена срывом и движением заряженных дислокаций под действием электрического напряжения. В Si дополнительной причиной срыва и движения дислокаций могут быть и термоупругие напряжения.