RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 507–509 (Mi phts2773)

Краткие сообщения

Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия

Р. И. Глориозова, Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, В. Б. Освенский




© МИАН, 2026