RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1988
, том 22,
выпуск 3,
страницы
507–509
(Mi phts2773)
Краткие сообщения
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
Р. И. Глориозова
, Л. И. Колесник
,
Н. Г. Колин
,
В. Б. Освенский
Полный текст:
PDF файл (508 kB)
©
МИАН
, 2026