RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1988
, том 22,
выпуск 3,
страницы
502–504
(Mi phts2771)
Краткие сообщения
Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в
$p$
-кремнии
А. Г. Абдусаттаров
,
В. В. Емцев
,
Т. В. Машовец
Полный текст:
PDF файл (385 kB)
©
МИАН
, 2026