RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 502–504 (Mi phts2771)

Краткие сообщения

Влияние интенсивности импульсного электронного облучения на образование дефектов в $p$-кремнии

А. Г. Абдусаттаров, В. В. Емцев, Т. В. Машовец




© МИАН, 2026