RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 307–312 (Mi phts2725)

Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями

Ю. М. Бабицкий, Н. И. Горбачева, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, В. П. Кузнецов, М. Г. Мильвидский, Б. М. Туровский


Аннотация: Исследована кинетика генерации термодоноров при температуре 430$^{\circ}$С в монокристаллах кремния с изовалентными примесями углерода, германия или олова. Обнаружено, что наличие в кристаллах высоких концентраций углерода (${N^{0}_{\text{C}}\gtrsim10^{17}\,\text{см}^{-3}}$) или германия (${N_{\text{Ge}}\gtrsim10^{19}\,\text{см}^{-3}}$) приводит к менее эффективному образованию термодоноров. Кинетика их генерации описывается выражением ${N_{\text{ТД}}(\tau)=N^{\max}_{\text{ТДKD }}[1-\exp(-(t/\tau)^{n})]}$, где ${n\approx 1}$ в Si без изовалентных примесей, ${n=0.7{-}0.8}$ в $\text{Si}\langle\text{C}\rangle$ и ${n= 1.3{-}1.4}$ в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$. Определены зависимости начальной скорости генерации термодоноров от исходных концентраций кислорода, углерода и германия в монокристаллах.



© МИАН, 2026