Физика и техника полупроводников,
1988, том 22, выпуск 2,страницы 289–292(Mi phts2721)
Инжекция и перенос дырок в гетероструктуре Se/As$_{2}$Se$_{3}$
А. М. Андриеш, Е. А. Акимова, С. И. Берил, В. И. Верлан
Аннотация:
Приводятся результаты исследований фотоинжекции дырок
в гетероструктуре Se/As$_{2}$Se$_{3}$ методом нестационарных фототоков.
Наблюдается эффективная инжекция дырок из селена в селенид мышьяка
с коэффициентом инжекции, равным 0.15, в электрическом поле
${2.5\times10^{5}}$ В/см. В области температур $20{-}50^{\circ}$С и
полей $10^{3}{-}10^{5}$ В/см перенос инжектированных в селенид мышьяка
дырок является нормальным, что обусловлено инжекционными свойствами границы
раздела Se/As$_{2}$Se$_{3}$. Механизм переноса в селениде мышьяка близок
к механизму Пула–Френкеля, инжекция дырок через границу раздела
Se/As$_{2}$Se$_{3}$ может быть описана механизмом Ричардсона–Шоттки.