RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 289–292 (Mi phts2721)

Инжекция и перенос дырок в гетероструктуре Se/As$_{2}$Se$_{3}$

А. М. Андриеш, Е. А. Акимова, С. И. Берил, В. И. Верлан


Аннотация: Приводятся результаты исследований фотоинжекции дырок в гетероструктуре Se/As$_{2}$Se$_{3}$ методом нестационарных фототоков. Наблюдается эффективная инжекция дырок из селена в селенид мышьяка с коэффициентом инжекции, равным 0.15, в электрическом поле ${2.5\times10^{5}}$ В/см. В области температур $20{-}50^{\circ}$С и полей $10^{3}{-}10^{5}$ В/см перенос инжектированных в селенид мышьяка дырок является нормальным, что обусловлено инжекционными свойствами границы раздела Se/As$_{2}$Se$_{3}$. Механизм переноса в селениде мышьяка близок к механизму Пула–Френкеля, инжекция дырок через границу раздела Se/As$_{2}$Se$_{3}$ может быть описана механизмом Ричардсона–Шоттки.



© МИАН, 2026