Формирование активационного барьера на контакте металл–аморфный полупроводник

В. И. Архипов, В. М. Логин, А. И. Руденко, А. А. Симашкевич, С. Д. Шутов


Аннотация: Приведены результаты теоретического и экспериментального исследовании процессов формирования потенциального барьера в приэлектродной области аморфного полупроводника. Показано, что возникновение барьера вблизи контакта металл–аморфный полупроводник, а также свойства этого барьера обусловлены широким энергетическим спектром локализованных состояний $g(\mathcal{E})$, характерным для неупорядоченных полупроводников. Проводится также сравнение полученных теоретических результатов с экспериментальными данными по частотной, температурной и полевой зависимостям барьерной емкости. Результаты проведенных исследований позволяют сделать вывод об активационном характере барьеров в структурах металл–аморфный полупроводник.