RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 262–268 (Mi phts2715)

Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов

В. Н. Абакумов, В. Карпус, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич


Аннотация: Рассмотрено влияние дальнодействующего кулоновского потенциала на термоионизацию и захват электронов на глубокие примесные центры. Определена зависимость коэффициента захвата от электронной температуры. Показано, что для отталкивающих центров в экспоненциальную зависимость Бонч-Бруевича вместо электронной температуры $T_{e}$ входит эффективная температура ${T_{e}^{*}=T_{e}T_{1}/(T_{e}+T_{1})}$, где энергия $kT_{1}$ порядка энергии фонона.
Эффект Пула–Френкеля при многофононной термоионизации также определяется не решеточной температурой $T$, а эффективной температурой ${T^{*}=TT_{1}/(T+T_{1})}$.
Результаты согласуются с экспериментальными данными.



© МИАН, 2026