Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в $n$-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности

А. Н. Крайчинский, Л. В. Мизрухин, Н. И. Осташко, В. И. Шаховцов


Аннотация: Исследована зависимость эффективности введения дефектов (ЭВД) в $n$-Si от интенсивности электронного потока. Установлено, что ЭВД как рекомбинационного, так и компенсирующего типа растет с ростом интенсивности облучения. С использованием ранее предложенной модели кулоновского взаимодействия противоположно заряженных вакансий и междоузельного атома, а также экспериментальной зависимости ЭВД от интенсивности облучения получен аналитический вид функции распределения генетических пар Френкеля, созданных облучением, по расстояниям между вакансией и междоузельным атомом. При используемой энергии электронов (3 МэВ) функция распределения экспоненциально спадает с ростом расстояний между вакансией и междоузельным атомом в диапазоне ${30\div55}$ Å.