RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 201–205 (Mi phts2704)

Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры люминесценции кристаллов CdS

Г. В. Бушуева, В. И. Решетов, А. А. Хромов, С. А. Пендюр, А. С. Насибов, А. Н. Печенов


Аннотация: С помощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что пластинчатые кристаллы CdS, легированные кислородом, содержат выделения CdO различных размеров — от нескольких десятков ангстрем до $\sim2$ мкм. В спектрах катодолюминесценции этих кристаллов обнаружена широкая оранжево-желтая полоса, положение максимума и форма которой сильно зависят от уровня накачки. Делается вывод, что наличие этой полосы и ее поведение с изменением уровня накачки можно объяснить излучательными переходами на выделениях CdO с учетом эффекта размерного квантования.



© МИАН, 2026