RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1988
, том 22,
выпуск 1,
страницы
158–161
(Mi phts2694)
Краткие сообщения
Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев
$n$
-GaP
П. И. Баранский
, А. Е. Беляев
, О. П. Городничий
, В. Г. Макаренко
Полный текст:
PDF файл (575 kB)
©
МИАН
, 2026