RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1, страницы 158–161 (Mi phts2694)

Краткие сообщения

Влияние иттербия на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев $n$-GaP

П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, В. Г. Макаренко




© МИАН, 2026