RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1, страницы 123–128 (Mi phts2683)

Распад твердого раствора Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при всестороннем гидростатическом сжатии

М. К. Бахадырханов, А. Абдураимов, X. М. Илиев


Аннотация: Исследовалось влияние всестороннего гидростатического сжатия (ВГС) на скорость распада твердого раствора Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при различных температурах. Установлено, что наличие ВГС заметно увеличивает скорость распада. Определены барический коэффициент распада и барическая постоянная изменения энергии активации распада. Показано, что увеличение скорости распада связано с изменением энергии связи комплексов атомов марганца в кристаллической решетке кремния.



© МИАН, 2026