RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1, страницы 118–122 (Mi phts2682)

О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами

В. Ф. Мастеров, В. А. Харченко, О. Д. Хохрякова


Аннотация: Рассматривается влияние резонансного рассеяния электронов зоны проводимости на кинетические коэффициенты: дрейфовую и холловскую подвижности, фактор Холла, магнитосопротивление, кинетический коэффициент магнитосопротивления. С учетом рассеяния на кулоновских центрах произведен расчет температурных зависимостей данных кинетических коэффициентов при определенных значениях энергии «резонансного» уровня $E_{r}$, его ширины и концентрации резонансных центров $N_{r}$. Показано, что расчетные зависимости при ${E_{r}=5.5}$ мэВ, ${\Gamma=1.25}$ мэВ, ${N_{r}=10^{18}\,\text{см}^{-3}}$, ${N_{q}=10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ хорошо согласуются с экспериментальными данными для эпитаксиальных слоев InP$\langle\text{Yb}\rangle$.



© МИАН, 2026