RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 12, страницы 2177–2179 (Mi phts2639)

Фотолюминесценция кристаллов InP и InP : Fe с имплантированной примесью магния

А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, В. Н. Равич, И. Г. Стоянова, И. М. Тигиняну


Аннотация: Исследовано влияние облучения ионами магния при различных дозах на излучательные свойства кристаллов InP и InP : Fe при ${T=6}$ K. Установлено, что ионное легирование магнием кристаллов фосфида индия приводит к появлению, по крайней мере, трех полос фотолюминесценции при энергиях 1.380, $\sim1.3$ и $\sim0.9$ эВ. Обсуждается возможная природа центров излучательной рекомбинации, в формировании которых принимают участие имплантированный магний и дефекты решетки фосфида индия.



© МИАН, 2026