RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 12, страницы 2156–2162 (Mi phts2635)

Теория статической вольтамперной характеристики баллистического МДП триода

А. А. Суханов, В. Б. Сандомирский, Ю. Я. Ткач


Аннотация: Выведено одномерное уравнение, описывающее распределение потенциала в канале баллистического полевого триода (БПТ). Показано, что на распределении потенциала в длинном (по сравнению с толщинами диэлектрика и обедненного слоя) образце имеется область широкого плато. Получена вольтамперная характеристика (ВАХ) БПТ, имеющая три характерных участка: омический (${j\sim u}$), корневой ($j\sim u^{1/2}$) и участок насыщения [${j(u)\simeq\mathrm{const}}$]. Наибольшую крутизну управляющая характеристика имеет на участке насыщения.



© МИАН, 2026