RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 6,
страницы
1120–1122
(Mi phts262)
Краткие сообщения
Особенности монополярной инжекции при наличии глубоких центров с отрицательной хаббардовской энергией
Л. Е. Стыс
Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
24.06.1985
Принята в печать:
20.12.1985
Полный текст:
PDF файл (452 kB)
©
МИАН
, 2026