RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1120–1122 (Mi phts262)

Краткие сообщения

Особенности монополярной инжекции при наличии глубоких центров с отрицательной хаббардовской энергией

Л. Е. Стыс

Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 24.06.1985
Принята в печать: 20.12.1985



© МИАН, 2026