RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1983
, том 17,
выпуск 11,
страницы
2077–2079
(Mi phts2611)
Краткие сообщения
Измерение степени компенсации в
$p{-}n$
-структурах GaAs
$\langle\text{Si}\rangle$
фотолюминесцентным методом
В. Ф. Коваленко
,
В. А. Краснов
Полный текст:
PDF файл (419 kB)
©
МИАН
, 2026