RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 2077–2079 (Mi phts2611)

Краткие сообщения

Измерение степени компенсации в $p{-}n$-структурах GaAs$\langle\text{Si}\rangle$ фотолюминесцентным методом

В. Ф. Коваленко, В. А. Краснов




© МИАН, 2026