Параметры центра, ответственного за долговременную релаксацию емкости в светодиодах GaP$\langle\text{Zn,\,O}\rangle$

А. А. Гуткин, Д. А. Дмитриева, В. Г. Сидоров, Э. А. Твирова, Ю. К. Шалабутов, С. Н. Шлихтов


Аннотация: Для определения параметров центра, вызывающего долговременное изменение емкости $p{-}n$-структуры при переключении обратного напряжения, использован метод изотермической релаксации емкости в условиях, когда равновесная заселенность глубокого уровня основными носителями заряда в нейтральной области полупроводника меньше 1. Определены скорости термоэмиссии и захвата дырок в интервале температур ${300\div450}$ K. Получено, что глубина залегания уровня, ответственного за медленную релаксацию емкости, равна ${0.22\pm0.1}$ эВ, энергия активации захвата ${0.61\pm0.05}$ эВ, а сечение захвата при ${300\div450}$ K изменяется от $10^{-27}$ до $10^{-23}\,\text{см}^{2}$. Обнаружено влияние электрического поля на скорость термической эмиссии дырок.