Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании

Е. В. Соловьева, М. Г. Мильвидский


Аннотация: Наблюдающиеся экспериментально экстремумы на зависимостях свойство-концентрация изовалентных примесей (ИБП) объясняются с позиций упругого взаимодействия ИВП и точечных структурных дефектов: процесса связывания дефектов ИБП, происходящего в условиях восходящей диффузии; изменения концентрации дефектов в поле деформации, создаваемых ИВП; достижения при критической концентрации ${N^{\text{крит}}_{\text{ИВП}}}$ однородного упругого поля. Соответствующее критическое расстояние между ИВП $R^{\text{крит}}_{\text{ИВП}}$ оказалось ${\sim(3\div5)a}$ ($a$ — период решетки) в зависимости от типа изовалентной примеси.