Диффузионные приповерхностные примесные профили в полупроводниках I.  Постановка задачи. Последовательная диффузия

В. И. Фистуль, М. И. Синдер


Аннотация: Развита теория диффузионных примесных профилей, учитывающая подвижность примесных комплексов. Получены аналитические выражения примесных профилей для случая последовательной диффузии. Показано, что основной характерной особенностью, возникающей в результате учета сильного взаимодействия диффундирующих компонентов, является особая точка на примесных профилях, имеющая смысл фронта реакции образования комплекса.