Подвижность электронов в сильно компенсированном $n$-InSb

Л. Б. Литвак-Горская, Е. З. Шапиро


Аннотация: Приведены экспериментальные данные по зависимости подвижности электронов в сильно компенсированном (${K\sim0.7\div0.9}$) $n$-InSb от температуры $\mu_{c}(T)$ (при ${E\to 0}$, ${T=4.2{-}77}$ K) и от электрического поля $\mu_{c}(E)$ (при ${T=4.2}$ K). Найдены области полей и температур, где подвижность определяется рассеянием на ионизованных примесях, концентрация которых ${N_{i}=2N_{a}}$. Показано, что при ${N_{i}=\mathrm{const}}$ с ростом $K$ абсолютные значения $\mu_{c}$ падают, а зависимость; $\mu_{c}(T)$ становится более крутой. На зависимости $\mu_{c}(E)$ обнаружен квазиомический участок, где ${\mu_{c}(E)=\mathrm{const}}$. Значения $\mu_{c}$ на этом участке в несколько раз меньше, чем в образцах с тем же значением $N_{i}$, но ${K< 0.5}$. Интерпретация экспериментальных данных по $\mu_{c}(T)$ и $\mu_{c}(E)$ основана на предположении о том, что в образцах с компенсацией ${K\to1}$ рассеяние на ионизованных примесях зависит от значения $K$, и приближения Конвелл–Вайскопфа, Брукса–Херринга несправедливы.