RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 1935–1937 (Mi phts2579)

Влияние одноосной деформации на свойства карбид-кремниевых диодов Шоттки

Л. А. Косяченко, Е. Ф. Кухто, В. М. Склярчук


Аннотация: Исследовано влияние деформации на электролюминесцентные и электрические свойства обратно смещенных карбид-кремниевых диодов Шоттки. Обнаружено различие спектров электролюминесценции при сжатии кристалла параллельно и перпендикулярно его оптической оси. Экспериментальные результаты указывают на изменение при деформации не только ширины запрещенной зоны, но и других параметров полупроводника. Обнаруженный эффект изменения интенсивности излучения достаточен для использования предпробойного излучателя на карбиде кремния в качестве оптоэлектронного тензодатчика для работы при больших механических нагрузках и высоких температурах.



© МИАН, 2026