RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1845–1849 (Mi phts2546)

Исследование растворимости и анализ поведения амфотерных примесей (Ge, Si) в антимониде индия

В. М. Глазов, Е. Б. Смирнова


Аннотация: Проведены систематические исследования растворимости германия и кремния в антимониде индия при различных температурах. На основе данных по измерению эффекта Холла показано, что в области сильного легирования германий и кремний, будучи амфотерными примесями, сообщают материалу $p$-тип проводимости, что указывает на преобладающую роль акцепторных состояний по сравнению с донорными. Установлено, что в исследованном диапазоне концентраций соотношение донорных состояний к акцепторным при легировании германием и кремнием равно 0.9 и 0.7 соответственно. Механизм размещения амфотерных примесей германия и кремния объясняется на основе представлений о донорно-акцепторном взаимодействии в соответствии с проходящими в материале реакциями в различных подрешетках структуры антимонида индия и о генерации многозарядных вакансий, сдвигающих уровень Ферми к потолку валентной зоны.



© МИАН, 2026