Аннотация:
В однозонном приближении предложен аналитический подход
к решению задачи об энергетическом спектре глубокого центра в полупроводниках.
Использование рекурсионной процедуры для преобразования исходного базиса
позволяет записать функцию Грина в виде непрерывной дроби, коэффициенты
которой сходятся к пределам, определяемым из экспериментальных данных о
зонной структуре конкретного материала. Показано, что в таком представлении
функция Грина разбивается на два блока, отражающих структуру глубокого центра
с ближайшим окружением («квазиатома») и структуру кристаллической
матрицы, в которую помещается «квазиатом». Получены аналитические выражения для первых коэффициентов непрерывной дроби
и функции $g_{L}(\varepsilon)$, описывающей структуру идеального кристалла.
В качестве примера рассматривается глубокий центр с $\delta$-образным
потенциалом.