RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1817–1822 (Mi phts2541)

Влияние многократного захвата носителей на переходные фототоки в аморфных полупроводниках

В. И. Архипов, Ю. А. Попова, А. И. Руденко


Аннотация: Модель многократного захвата носителей на распределенные по энергии локализованные состояния (ловушки) используется для теоретического анализа нестационарной фотопроводимости аморфных материалов. Если энергетическое распределение ловушек является достаточно глубоким, переходный фототок протекает в условиях неустановившегося теплового равновесия между фракциями локализованных и делокализованных носителей. В этих условиях перед достижением стационарного уровня фототок проходит через максимум, причем возрастание и убывание фототока описываются степенными функциями времени, а форма кривых переходного фототока оказывается универсальной по отношению к изменению темпа генерации носителей.



© МИАН, 2026