Особенности отрицательных фотоэффектов в кристаллах TlGaSe$_{2}$

С. Г. Абдуллаева, В. А. Алиев, Н. Т. Мамедов, М. К. Шейнкман


Аннотация: Впервые обнаружены явления отрицательной (ОФП) и отрицательной остаточной (ООП) фотопроводимости в кристаллах TlGaSe$_{2}$. Установлено, что последняя наблюдается при отсутствии собственной остаточной фотопроводимости. Предложена схема рекомбинационных переходов, объясняющая особенности ОФП и ООП в кристаллах TlGaSe$_{2}$.