Импеданс длинного диода при двойной инжекции носителей и слабом нарушении квазинейтральности

И. К. Блохин, В. А. Холоднов


Аннотация: Вычислен импеданс длинного диода на основе компенсированного полупроводника при двойной инжекции носителей на квадратичном участке вольтамперной характеристики с учетом малого объемного заряда. Показана возможность возбуждения в таком диоде волн объемного заряда, проявляющихся, в частности, в сильной немонотонной зависимости импеданса диода от напряжения и частоты.