Исследование транзисторов с оптической связью

В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, А. А. Яковенко


Аннотация: Описаны транзисторы на основе гетероструктур GaAs$-$AlAs, в которых электрический сигнал от эмиттера к коллектору передается путем преобразования его в световой на эмиттерном и снова в электрический на коллекторном переходах. На основе эквивалентной схемы оптотранзистора проведен анализ особенностей его работы. Дано выражение для коэффициента передачи эмиттерного тока $\alpha$ и проведена оценка его максимального значения.
Оптотранзисторы были изготовлены методом жидкостной эпитаксии и обладали следующими параметрами: напряжение коллектор–эмиттер ${U_{\text{кэ}}=500}$ В, быстродействие ${\sim10^{-8}}$ с, коэффициент усиления в схеме с ОЭ ${\beta=1.8}$. Показана перспективность оптотранзисторов для разработки мощных переключающих транзисторов.