Излучательные и оже-процессы в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме ДГ-InGaAsP/InP-структур (${\lambda=1.3}$ мкм)

Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В. П. Чалый


Аннотация: Исследована внешняя эффективность излучения и кинетика рекомбинации неравновесных носителей в электронно-дырочной плазме, созданной путем оптического возбуждения активной области изотипных ДГ-InGaAsP/InP-структур (${\lambda=1.3}$ мкм). При этом установлено, что в диапазоне концентраций неравновесных носителей от ${2\cdot10^{17}}$ до ${2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ коэффициент межзонной излучательной рекомбинации меняется от ${1.7\cdot10^{-10}}$ до ${1.2\cdot10^{-10}\,\text{см}^{3}/\text{с}}$ (295 K); коэффициент межзонной оже-рекомбинации при 295 K не превышает ${0.7\cdot10^{-29}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$, а при 350 K составляет ${1.1\cdot10^{-29}\,\text{см}^{6}/\text{с}}$; оже-рекомбинация дает заметный вклад в скорость рекомбинационных переходов в электронно-дырочной плазме с плотностью ${2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ при 295 K.