Устойчивость спектров пограничных состояний, найденных из вольтфарадных характеристик МДП структур с учетом температурного размытия функции Ферми, к ошибкам расчетных параметров

А. Н. Пономарев, В. Г. Приходько


Аннотация: Прецизионным цифровым методом низкочастотных вольтфарадных характеристик исследуются энергетические спектры локализованных состояний границ раздела Si$-$SiO$_{2}$ в МДП структурах, имплантированных в область границы ионами аргона. При обработке экспериментальных данных учитывается температурное размытие функции Ферми путем решения уравнения спектроскопии методом слабой регуляризации Тихонова.
Проанализирована зависимость энергетических спектров как от случайных ошибок, так и от точности задания параметров расчета. Показана возможность формализованного выбора оптимальных параметров расчета. Найденные энергии пиков плотности пограничных состояний согласуются с результатами других работ.