RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 7, страницы 1275–1278 (Mi phts2399)

Влияние трансформации зонной структуры на характер донорно-акцепторной рекомбинации в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$P

О. Н. Ермаков, В. П. Сушков


Аннотация: В непрямозонной и переходной областях составов твердых растворов In$_{1-x}$Ga$_{x}$P при ${T\simeq77}$ K и в широком диапазоне уровней возбуждения исследованы особенности излучательной рекомбинации носителей в мелких донорно-акцепторных парах. Установлено, что трансформация зонной структуры при изменении состава твердых растворов приводит к немонотонному характеру изменения эффективности излучения в мелких донорно-акцепторных парах в соответствии с ${I_{\text{и}}\sim[\gamma^{2}+(\delta+\Delta E_{\Gamma-X})^{2}]^{-1}}$ (${\delta=30}$, ${\gamma= 60}$ мэВ). Наблюдаемое изменение спектральной формы полосы межпримесной рекомбинации в непрямозонной области составов приписывается возрастанию при уменьшении $x$ относительной интенсивности бесфононной рекомбинации в донорно-акцепторных парах, а в области составов вблизи границы перехода — наложению полосы межпримесной рекомбинации с участием глубокого акцептора Si.



© МИАН, 2026