Гетеропереходы твердофазного замещения $p$-Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$SnAs$_{2}{-}n$-CdSnAs$_{2}$

Ю. В. Рудь, М. Сергинов, В. Е. Скорюкин


Аннотация: Впервые получены выпрямляющие фоточувствительные гетероструктуры на основе твердого раствора Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$SnAs$_{2}$ и соединения CdSnAs$_{2}$. Показано, что метод твердофазного замещения позволяет управлять составом твердого раствора в широких пределах (${x=0\div0.75}$). Обнаружено, что длинноволновая граница фоточувствительности ГП с ростом $x$ смещается в коротковолновую область энергий от $E_{G}$ (CdSnAs$_{2}$) в направлении $E_{G}$ (ZnSnAs$_{2}$). Установлено, что при освещении со стороны слоя коротковолновый спад фототока выражен слабо, тогда как при освещении ГП со стороны подложки фоточувствительность имеет вид узкого максимума вблизи $E_{G}$ (CdSnAs$_{2}$). Показано, что знак фотонапряжения и направление выпрямления ГП соответствуют гипотетической энергетической диаграмме при ${x=1}$. Обнаружена поляризационная чувствительность ГП и показано, что она определяется анизотропией фотоактивного поглощения подложкой. Определены численные характеристики поляризационной чувствительности. Сделан вывод о возможностях применения ГП в качестве широкодиапазонных и селективных фотодетекторов, а также фотоанализаторов линейно-поляризованного излучения ИК диапазона.