Исследование дефектов структуры в системе GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$ методом ЭПР

В. Ф. Мастеров, С. Б. Михрин, Б. Е. Саморуков, К. Ф. Штельмах


Аннотация: Проведено систематическое исследование ЭПР марганца в GaAs при различной концентрации примеси. Показано, что при небольших концентрациях марганца в кристалле практически все центры имеют электронную конфигурацию $3d^{5}$ в $p$-GaAs. С повышением концентрации марганца появляются спектр ЭПР комплекса Мn$-$О, а также спектр обменно-связанных атомов Мn$-$Мn. Приводятся параметры спин-гамильтониана, описывающего различные центры марганца в арсениде галлия.