Инжекционные токи в трикристалле арсенида галлия

О. В. Вакуленко, А. С. Драненко, Н. Н. Новиков


Аннотация: Рассматриваются электронные свойства трикристаллов GaAs$\langle\text{Cr}\rangle$ с большими углами. ${20 <\theta < 70^{\circ}}$ разориентации кристаллических блоков. Вольтамперные характеристики (ВАХ) исследуемой структуры симметричны подобно ВАХ варисторов. Предлагаемая модель инжекции носителей тока из области структурных дефектов удовлетворительно объясняет полученные закономерности.