Люминесценция центров тантала в GaAs и GaP

В. В. Ушаков, А. А. Гиппиус, В. А. Дравин


Аннотация: Впервые получены и исследованы спектры люминесценции центров тантала в GaAs и GaP. Установлено, что в обоих случаях примесное излучение представляет собой внутрицентровые излучательные переходы на ионах Та$^{2+}(5d3)$, и в рамках теории кристаллического поля по диаграмме Танабе–Сугано проведена их идентификация: ${}^{2}T_{1}({}^{2}G){-}{}^{4}T_{1}({}^{4}F)$ Электронный переход на центрах Та слабо взаимодействует с кристаллическими колебаниями, причем в области фононного крыла спектров люминесценции центров GaAs : Та доминируют граничные фононы точки $L$ зоны Бриллюэна. Температурное уширение бесфононных линии излучения примесных центров определяется взаимодействием фотопереходов с $TA$-фононами, а в величину их «красного» сдвига при повышении температуры кристаллов также вносит вклад взаимодействие локальных и зонных состояний.